ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UMN11NTN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - UMN11NTN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - UMN11NTN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UMD6 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UMN11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor UMN11NTN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UMN11NTN | FFPF10U60DNTU | UMN1NTR | MBR20100CT |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | Rohm Semiconductor | SMC Diode Solutions |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 600 V | 80 V | 100 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 90 ns | 4 ns | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 5 µA @ 600 V | 100 nA @ 70 V | 1 mA @ 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-220-3 Full Pack | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 10A | 25mA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UMD6 | TO-220F-3 | UMD5 | TO-220AB |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 2.2 V @ 10 A | 900 mV @ 5 mA | 900 mV @ 10 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UMN11 | FFPF10 | UMN1 | MBR20100 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UMN11NTN PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ UMN11NTN - Rohm Semiconductor
UMN1 NCJ
UMN1NLTRLAPIS TechnologyUMN1N/TRLAPIS TechnologyFFPF10U60DNTUonsemiDIODE ARRAY GP 600V 10A TO220FUMN1N TNLAPIS TechnologyUMN11NLAPIS TechnologyUMN1NTRRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5UMN11 N TNLAPIS TechnologyMBR20100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220UMN1 NTRLAPIS TechnologyUMN10NTRRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
MBR2560CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
VB10150C-E3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263
SBRB2545CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
APT2X101D40JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 400V 100A ISOTOPUMN1 N/TRLAPIS Technology
BAV99BRLP-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 75V 300MA 6DFN
NRTSV30H120CTGonsemiDIODE SCHOTTKY 120V 7.5A TO220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที