ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US6J2TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - US6J2TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - US6J2TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMT6 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Flat Leads | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 150pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US6J2 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor US6J2TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US6J2TR | US6J12TCR | US6K2TR | US6K4TR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 150pF @ 10V | 850pF @ 6V | 70pF @ 10V | 110pF @ 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W | 910mW (Ta) | 1W | 1W |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 12V | 30V | 20V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1A | 2A (Ta) | 1.4A | 1.5A |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 105mOhm @ 2A, 4.5V | 240mOhm @ 1.4A, 10V | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V | 7.6nC @ 4.5V | 2nC @ 5V | 2.5nC @ 4.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMT6 | TUMT6 | TUMT6 | TUMT6 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US6J2 | US6J12 | US6K2 | US6K4 |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads |
| ชุด | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | 1V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US6J2TR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ US6J2TR - Rohm Semiconductor
US6J11LAPIS TechnologyUS6J12TCRRohm Semiconductor1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1US6K1 TCRLAPIS TechnologyUS6K31LAPIS TechnologyUS6J2/TRLAPIS TechnologyUS6J11/TRLAPIS TechnologyUS6K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
US63EVK MLX90250CBMelexisUS6J11TR MOSLAPIS TechnologyUS6K2 TCRLAPIS TechnologyUS6K4TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6US6K1/TRLAPIS TechnologyUS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6US6K1TR MOSLAPIS TechnologyUS6J11TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6US6J11 TCRLAPIS TechnologyUS6K4/TRLAPIS TechnologyUS6K4 FU7TRLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที