ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF7331TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Philips - IRF7331TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Philips - IRF7331TRPBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LUMILEDS | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | |
| ชุด | HEXFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1340pF @ 16V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF733 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Philips IRF7331TRPBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF7331TRPBF | IRF7329TRPBF | IRF7329PBF | IRF7331 |
| ผู้ผลิต | Philips | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 12V | 12V | 20V |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A | 9.2A | 9.2A | 7A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF733 | IRF732 | IRF732 | IRF733 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1340pF @ 16V | 3450pF @ 10V | 3450pF @ 10V | 1340pF @ 16V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 2W | 2W | 2W |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 57nC @ 4.5V | 57nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 4.5V | 17mOhm @ 9.2A, 4.5V | 17mOhm @ 9.2A, 4.5V | 30mOhm @ 7A, 4.5V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
IRF7335D1PBFIRIRF7329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOICIRF7331PBF MOSIRIRF7335IRIRF7335D1IRIRF7331TRPBF.IRIRF7329PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOICIRF7331Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICIRF7331 MOSIR
IRF7328TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7329IRIRF7335D1TRPBFIR
IRF7331TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICIRF7329TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
IRF7335D1TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOICIRF7331PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICIRF7331TRPBF MOSIRIRF7331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที