ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี LM5110-1SD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - LM5110-1SD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - LM5110-1SD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3.5V ~ 14V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 10-WSON (4x4) | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 14ns, 12ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 10-WDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 3A, 5A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | LM5110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments LM5110-1SD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | LM5110-1SD | LM5110-2SDX | LM5110-1SDX | LM5110-1M |
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | LM5110 | LM5110 | LM5110 | LM5110 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 3A, 5A | 3A, 5A | 3A, 5A | 3A, 5A |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 10-WSON (4x4) | 10-WSON (4x4) | 10-WSON (4x4) | 8-SOIC |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3.5V ~ 14V | 3.5V ~ 14V | 3.5V ~ 14V | 3.5V ~ 14V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 10-WDFN Exposed Pad | 10-WDFN Exposed Pad | 10-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 14ns, 12ns | 14ns, 12ns | 14ns, 12ns | 14ns, 12ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล LM5110-1SD PDF และเอกสาร Texas Instruments สำหรับ LM5110-1SD - Texas Instruments
LM5110-1SDX/NOPBTexas InstrumentsLM5110-2SDXTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSONLM5110-1SDXTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSONLM5110-1MX/NOPBTexas InstrumentsLM5110-2M/NOPBTexas InstrumentsLM5110-1MTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICLM5110-2MXTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
LM5109BSDXTexas InstrumentsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSONLM5109BSDX/NOPBTexas InstrumentsLM5110-1SD/NOPBTexas InstrumentsLM5110-2MTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICLM5109MAXTexas InstrumentsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICLM5109SDTexas InstrumentsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSONLM5110-1MXTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICLM5110-2MX/NOPBTexas InstrumentsLM5110-2SDTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSONLM5109MATexas InstrumentsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICLM5110-1M/NOPBTexas Instruments| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที