ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี OPA659IDRBR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - OPA659IDRBR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - OPA659IDRBR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 7 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 13 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 1 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SON (3x3) | |
| อัตราสลูว์ | 2550V/µs | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทขาออก | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 350 MHz | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 32mA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 70 mA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 10 pA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | OPA659 | |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET | |
| -3dB แบนด์วิดธ์ | 650 MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments OPA659IDRBR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | OPA659IDRBR | OPA659IDBVR | OPA660AP | OPA660AU |
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Burr Brown |
| -3dB แบนด์วิดธ์ | 650 MHz | 650 MHz | 850 MHz | 850 MHz |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 32mA | 32mA | 26mA | 26mA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 70 mA | 70 mA | 15 mA | 15 mA |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 350 MHz | 350 MHz | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 7 V | 7 V | 9 V | 9 V |
| อัตราสลูว์ | 2550V/µs | 2550V/µs | 3000V/µs | 3000V/µs |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 1 mV | 1 mV | 10 mV | 10 mV |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | OPA659 | OPA659 | OPA660 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SON (3x3) | SOT-23-5 | 8-PDIP | 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 10 pA | 10 pA | 2.1 µA | 2.1 µA |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 13 V | 13 V | 11 V | 11 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET | J-FET | Transconductance | Transconductance |
| ประเภทขาออก | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | SC-74A, SOT-753 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล OPA659IDRBR PDF และเอกสาร Texas Instruments สำหรับ OPA659IDRBR - Texas Instruments
OPA658U/2K5BURR-BROWNOPA658UA/2K2BB/TIOPA676JGBURR-BROWNOPA659IDBVRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT SOT23-5OPA658UBBURR-BROWN
OPA658NB/3KG4Texas InstrumentsOPA671PTexas InstrumentsOPA658PBURR-BROWNOPA660APTexas InstrumentsIC OPAMP TRANSCOND 1 CIRC 8DIPOPA658UBURR-BROWNOPA658P-1BURR-BROWNOPA671APTexas InstrumentsOPA660AUBurr BrownIC OPAMP TRANSCOND 1 CIRC 8SOICOPA658NB/3KTexas InstrumentsOPA659IDRBTTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON
OPA660AUTexas InstrumentsIC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8SOICOPA675JGBURR-BROWNOPA659IDBVTTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT SOT23-5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที