ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBD4148
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Yangjie Technology - MMBD4148 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Yangjie Technology - MMBD4148
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 855 mV @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Yangjie Technology MMBD4148
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBD4148 | MMBD4148,215 | MMBD4148 | MMBD4148-7 |
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | Nexperia USA Inc. | NTE Electronics, Inc | Diodes Incorporated |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 855 mV @ 10 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1 V @ 10 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 215mA | 200mA | 300mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 100 V | 75 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | 500 nA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | TO-236AB | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
MMBD4148 T/RPANJIT
MMBD353LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3MMBD354LT1onsemiDIODE SWITCH DUAL 7V SOT23MMBD355WPANJITMMBD354LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3MMBD4148,215Nexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 75V 215MA TO236ABMMBD4148NTE Electronics, IncDIODE GP 100V 200MA SOT23-3MMBD4148-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3MMBD4148 5DCJ
MMBD3946Diodes IncorporatedMMBD4148-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3MMBD355LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
MMBD4148SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
MMBD4148,215NXP SemiconductorsDIODE GEN PURP 75V 215MA TO236AB
MMBD4148Taiwan Semiconductor CorporationSOT-23, 100V, 0.2A, SWITCHING DIMMBD4148 KA2
MMBD4148onsemiDIODE GP 100V 200MA SOT23-3MMBD353| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที