ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MWS5114D2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - MWS5114D2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - MWS5114D2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 250ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 6.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 18-SBDIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 4 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MWS5114 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 250 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation MWS5114D2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MWS5114D2 | AT45DB161E-SSHFHA-T | IS42S83200B-6TL | AT29LV020-20TI |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Adesto Technologies | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Microchip Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 250ns | 8µs, 4ms | - | 20ms |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | SPI | Parallel | Parallel |
| เวลาในการเข้าถึง | 250 ns | - | 5.4 ns | 200 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | FLASH | SDRAM | FLASH |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 4 | 528 Bytes x 4096 pages | 32M x 8 | 256K x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 6.5V | 2.3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 32-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MWS5114 | AT45DB161 | IS42S83200 | AT29LV020 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | 16Mbit | 256Mbit | 2Mbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TC) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TC) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 18-SBDIP | 8-SOIC | 54-TSOP II | 32-TSOP |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | FLASH | DRAM | FLASH |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
AT45DB161E-SSHFHA-TAdesto TechnologiesIC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOICIS42S83200B-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MWSC0630H1R0MTCHNMWS5114D1HARRISMWS5101EL2HARRISAT29LV020-20TIMicrochip TechnologyIC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP
24AA512-I/MFMicrochip TechnologyIC EEPROM 512KBIT I2C 8DFNMWS5114E1HAR
MT47H512M4THN-25E:MMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
PC28F320J3F75AAlliance Memory, Inc.MEMORYMWSC0630H1R5MTCHN
AT25256-10UI-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 256KBIT SPI 3MHZ 8DBGAMWS4805ZIGBT ModuleMWS5114E2RCA
MT47H128M4CF-25E:GMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
CY7C144E-55AXCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP
MT41K256M8DA-125 AIT:KMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGAMWS4148-GMMC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที