ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MWS5114D2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - MWS5114D2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - MWS5114D2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 250ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 6.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 18-SBDIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 4 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MWS5114 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 250 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation MWS5114D2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MWS5114D2 | 24AA025E48T-E/SN | AT28C64B-20JA | IS25LQ016B-JBLE |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 250ns | 5ms | 10ms | 1ms |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | I²C | Parallel | SPI - Quad I/O |
| เวลาในการเข้าถึง | 250 ns | 900 ns | 200 ns | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | EEPROM | EEPROM | FLASH - NOR |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 4 | 256 x 8 | 8K x 8 | 2M x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 6.5V | 1.7V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 2.3V ~ 3.6V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 32-LCC (J-Lead) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MWS5114 | 24AA025E48 | AT28C64 | IS25LQ016 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | 2Kbit | 64Kbit | 16Mbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TC) | -40°C ~ 105°C (TA) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 18-SBDIP | 8-SOIC | 32-PLCC (13.97x11.43) | 8-SOIC |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | EEPROM | EEPROM | FLASH |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
MWS5114E1HAR24AA025E48T-E/SNMicrochip TechnologyIC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOICAT28C64B-20JAMicrochip TechnologyIC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCCMWSC0630H1R0MTCHNMWS020ZGYIPDIGBT ModuleMWS4148-GMMCIS25LQ016B-JBLEISSI, Integrated Silicon Solution IncIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOICMWS5101EL2HARRIS
24AA01HT-I/OTMicrochip TechnologyIC EEPROM 1KBIT I2C SOT23-5MWS5114E2RCA
24LC256T-I/MSMicrochip TechnologyIC EEPROM 256KBIT I2C 8MSOPMWSC0630H1R5MTCHN
AT29C512-12PIMicrochip TechnologyIC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIPMWS5114D1HARRISMWS4805S3IPDIGBT Module
AT24C08B-TH-BMicrochip TechnologyIC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOPMWS4805ZIGBT Module
CY62148EV30LL-45BVXIInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 36VFBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที