ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1125A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1125A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1125A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1125 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1125A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1125A | 1N1124R | 1N1125R | 1N1124R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1125 | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 200 V | 300 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1125A PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1125A - Microchip Technology
1N1124RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1125RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 12A DO41N1124RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1125Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1126AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1126ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1124AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1126Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1125Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1124Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1125RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 12A DO41N1124ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1126RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO41N1126Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1124Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1125JANTXMSCIGBT Module1N1125ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1126AJANTXMSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที