ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1581
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1581 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1581
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1581
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1581 | 1N1582R | 1N1582 | 1N1581R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 100 V | 100 V | 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 30 A | 1.3 V @ 30 A | 1.3 V @ 30 A | 1.3 V @ 30 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 16A | 16A | 16A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1581 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1581 - Microchip Technology
1N1582RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO41N1539AIRIGBT Module
1N1581AMicrosemiIGBT Module1N1552MicrosemiIGBT Module1N1551MicrosemiIGBT Module1N1543MicrosemiIGBT Module1N1582Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N1581RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4
1N1582Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N1542MicrosemiIGBT Module1N1581Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO41N1584Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N1584AMicrosemiIGBT Module1N1541MicrosemiIGBT Module1N1539IRIGBT Module1N1583RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO41N1554MicrosemiIGBT Module1N1584Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 3A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที