ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2063R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2063R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2063R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2063R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2063R | 1N2065 | 1N2064R | 1N2062 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 500 V | 75 µA @ 700 V | 75 µA @ 600 V | 75 µA @ 450 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | 700 V | 600 V | 450 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-9 | DO-205AB (DO-9) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 275A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2063R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2063R - Microchip Technology
1N2065Microchip TechnologyDIODE GP 700V 275A DO205AB DO91N2064RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 275A DO91N2062Microchip TechnologyDIODE GP 450V 275A DO205AB DO91N2062RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 450V 275A DO205AB1N2061Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 275A DO91N2062Solid State Inc.DIODE GEN PURP 450V 275A DO91N2063Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 275A DO91N2064Microchip TechnologyDIODE GP 600V 275A DO205AB DO91N2061RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 275A DO91N2063RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 275A DO91N2061RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 400V 275A DO205AB1N2063Microchip TechnologyDIODE GP 500V 275A DO205AB DO91N2065RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 275A DO91N2064RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 600V 275A DO205AB1N2065Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 275A DO91N2064Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 275A DO91N2065RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 700V 275A DO205AB1N2062RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 450V 275A DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที