ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2130
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2130 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2130
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2130
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2130 | 1N2130R | 1N2130A | 1N2129A |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.1 V @ 60 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 70A | 70A | 60A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | 25 µA @ 150 V | 25 µA @ 150 V | 10 µA @ 50 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2130 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2130 - Microchip Technology
1N2130RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 70A DO51N2130AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N2129AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 60A DO51N2129ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2129ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 70A DO51N2130RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 150V 70A DO51N2131Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 70A DO51N2130ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 70A DO51N2129RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2129AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO51N2129ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 60A DO51N2130RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 70A DO51N2129RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2130Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 70A DO51N2129RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2130AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 60A DO51N2129RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2130RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 150V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที