ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3162
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3162 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3162
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3162 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3162
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3162 | 1N3163R | 1N3161R | 1N3162 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Powerex Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | - | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | - | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3162 | 1N3163 | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | - | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | - | DO-9 | DO-9 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | - | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | - | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | - | 240A | 240A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 100 V | - | 75 µA @ 50 V | 75 µA @ 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | - | 100 V | 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3162 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3162 - Microchip Technology
1N3163RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 150V DO-91N3161RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 240A DO91N3162Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 240A DO9
1N3163AMicrosemiIGBT Module1N3162AMicrosemiIGBT Module1N3163Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 150V DO-9
1N3161RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3161Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3161Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 240A DO91N3162RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 100V DO-91N3162RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 240A DO91N3163Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3162RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3161AMicrosemiIGBT Module1N3162Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 100V DO-91N3161Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 50V DO-91N3161RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 50V DO-91N3163Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 240A DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที