ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3265
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3265 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3265
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3265 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3265
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3265 | 1N3262R | 1N3266 | 1N3265R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3265 | 1N3262 | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 300 V | 75 µA @ 150 V | 75 µA @ 350 V | 75 µA @ 300 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-9 | DO-9 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 150 V | 350 V | 300 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 275A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3265 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3265 - Microchip Technology
1N3262RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3266Solid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 275A DO91N3265RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 275A DO9
1N3265Powerex Inc.DIODE GP 300V 160A DO205AB DO91N3266Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3263Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 275A DO91N3263Powerex Inc.DIODE GP 200V 160A DO205AB DO91N3265RPowerex Inc.DIODE GP REV 300V 160A DO205AB1N3267Powerex Inc.DIODE GP 400V 160A DO205AB DO91N3265RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3262RPowerex Inc.DIODE GP REV 150V 160A DO205AB1N3267Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 275A DO91N3267Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3265Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 275A DO91N3262Powerex Inc.DIODE GP 150V 160A DO205AB DO91N3263Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3262RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 275A DO91N3266Powerex Inc.DIODE GP 350V 160A DO205AB DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที