ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3273R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3273R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3273R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3273 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3273R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3273R | 1N3271R | 1N3272 | 1N3288A |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-9 | DO-205AA (DO-8) |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1000 V | 75 µA @ 800 V | 75 µA @ 900 V | 200 µA @ 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 150A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 800 V | 900 V | 100 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.1 V @ 200 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3273 | 1N3271 | - | 1N3288 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3273R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3273R - Microchip Technology
1N3271RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3272Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 275A DO91N3288AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3271RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 275A DO91N3288Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3288ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO81N3272Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3271RPowerex Inc.DIODE GP REV 800V 160A DO205AB1N3272Powerex Inc.DIODE GP 900V 160A DO205AB DO91N3273Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 275A DO91N3273Powerex Inc.DIODE GP 1KV 160A DO205AB DO91N3273RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 275A DO91N3273RPowerex Inc.DIODE GP REV 1KV 160A DO205AB1N3275Powerex Inc.DIODE GP 1.4KV 160A DO205AB DO91N3288APowerex Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA1N3276Powerex Inc.DIODE GP 1.6KV 160A DO205AB DO91N3288Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO81N3273Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที