ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3289
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3289 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3289
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 310 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3289 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3289
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3289 | 1N3289R | 1N3289A | 1N3289AR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Powerex Inc. |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3289 | 1N3289 | 1N3289 | 1N3289 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 310 A | 1.55 V @ 310 A | 1.5 V @ 100 A | 1.5 V @ 100 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 200 V | 10 mA @ 200 V | 24 mA @ 200 V | 24 mA @ 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3289 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3289 - Microchip Technology
1N3289RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3289AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N3289ARPowerex Inc.DIODE GP REV 200V 100A DO205AA
1N3288RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
1N3289Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N3288ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3289RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO81N3289RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO81N3288RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3288RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO81N3289ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3289ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 100A DO205AA1N3289APowerex Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N3288RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO81N3288ARPowerex Inc.DIODE GP REV 100V 100A DO205AA1N3289AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3289ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N3288APowerex Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที