ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4589
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4589 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4589
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4589
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4589 | 1N4590 | 1N4588R | 1N4590 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Powerex Inc. | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | 9 mA @ 400 V | 50 µA @ 200 V | 9 mA @ 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 400 V | 200 V | 400 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | - | 1.1 V @ 200 A | 1.5 V @ 150 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | 150A | 150A | 150A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4589 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4589 - Microchip Technology
1N4590Powerex Inc.DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA1N4588RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 150A DO81N4590GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA1N4588GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
1N4588RBMicrosemiIGBT Module
1N4588RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 200V 150A DO205AA1N4588RPowerex Inc.DIODE GP REV 200V 150A DO205AA1N4589RPowerex Inc.DIODE GP REV 300V 150A DO205AA1N4589RAMicrosemiIGBT Module1N4590Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 150A DO81N4588RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 150A DO205AA1N4589Powerex Inc.DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA1N4589RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 300V 150A DO205AA1N4589Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 150A DO81N4589RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 150A DO81N4588Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 150A DO81N4590Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA1N4588Powerex Inc.DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที