ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4596R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4596R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4596R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4596R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4596R | 1N4607 | 1N4596R | 1N4596R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Powerex Inc. |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | 200mA | 150A | 150A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1400 V | 85 V | 1400 V | 1400 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1400 V | 100 µA @ 50 V | 3.5 mA @ 1400 V | 3.5 mA @ 1400 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-35 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | 1.1 V @ 400 mA | 1.5 V @ 150 A | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4596R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4596R - Microchip Technology
1N4607Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 85V 200MA DO351N4596RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AA1N4596RPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AA
1N4682onsemi1N4682 - ZENER DIODE, 2.7V, 5%,
1N4596RBMicrosemiIGBT Module1N4595RAMicrosemiIGBT Module1N4596RAMicrosemiIGBT Module1N4682Microchip TechnologyDIODE ZENER
1N4596Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO81N4596RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.4KV 150A DO81N4615-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 2V 500MW DO71N4679Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4596Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 150A DO205AA1N4596GeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.4KV 150A DO205AA1N4595RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 150A DO81N4595RBMicrosemiIGBT Module1N4596Powerex Inc.DIODE GP 1.4KV 150A DO205AA
1N4620UR-1Microchip TechnologyZENER DIODE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที