ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5820
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5820 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5820
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | B, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5820
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5820 | 1N5820 | 1N5820-E3/73 | 1N5820-T |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 20 V | 500 µA @ 20 V | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | B, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 190pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5820 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5820 - Microchip Technology
1N5819WTJXND1N5819WS SL 1AJD1N5820onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820 SS32HTWX1N5820-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5819_AY_10001PANJIT1N5819WT S4CJ1N5820-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
1N5820RLonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5820GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5820Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 20V 3A
1N5820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
1N5820RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL
1N5820Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO2011N5820STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที