ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 23K640T-I/SN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 23K640T-I/SN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 23K640T-I/SN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | SRAM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 8K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 23K640 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 23K640T-I/SN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 23K640T-I/SN | W25X32VSSIG | 23K256-I/SN | MT40A256M16GE-075E:B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Winbond Electronics | Microchip Technology | Micron Technology Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tray |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | FLASH | SRAM | DRAM |
| เทคโนโลยี | SRAM | FLASH | SRAM | SDRAM - DDR4 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 96-FBGA (9x14) |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | 75 MHz | 20 MHz | 1.33 GHz |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Non-Volatile | Volatile | Volatile |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | Parallel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 96-TFBGA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 23K640 | W25X32 | 23K256 | MT40A256M16 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | SpiFlash® | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 8K x 8 | 4M x 8 | 32K x 8 | 256M x 16 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 1.14V ~ 1.26V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Kbit | 32Mbit | 256Kbit | 4Gbit |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | 3ms | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 23K640T-I/SN PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 23K640T-I/SN - Microchip Technology
W25X32VSSIGWinbond ElectronicsIC FLASH 32MBIT SPI 75MHZ 8SOIC23K256-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
23K640-E/STMicrochipMT40A256M16GE-075E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AT27C512R-12TCMicrochip TechnologyIC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP23K256T-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
MT40A1G8SA-062E:EMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
CAT25040HU4I-GT3onsemiIC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8UDFN
23K256T-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
AT25DF081A-MH-TAdesto TechnologiesIC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8UDFN23K256-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP23K640-I/STMicrochip
23K640-I/PMicrochip TechnologyIC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8DIP23K640T-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP23K640-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
DS1249AB-70INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
TC58NVG0S3HBAI6Kioxia America, Inc.IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA23K640-E/PMicrochip| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที