ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 24VL024T/MNY
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 24VL024T/MNY คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 24VL024T/MNY
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.5V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TDFN (2x3) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WFDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -20°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256 x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 400 kHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 24VL024 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 900 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 24VL024T/MNY
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 24VL024T/MNY | AS4C64M16D2A-25BIN | 24VL025/SN | 23LC512-I/ST |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Alliance Memory, Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile | Volatile |
| เทคโนโลยี | EEPROM | SDRAM - DDR2 | EEPROM | SRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | 1Gbit | 2Kbit | 512Kbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TDFN (2x3) | 84-FBGA (8x12.5) | 8-SOIC | 8-TSSOP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tube | Tube |
| เวลาในการเข้าถึง | 900 ns | 400 ps | 900 ns | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256 x 8 | 64M x 16 | 256 x 8 | 64K x 8 |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | DRAM | EEPROM | SRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 15ns | 5ms | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.5V ~ 3.6V | 1.7V ~ 1.9V | 1.5V ~ 3.6V | 2.5V ~ 5.5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WFDFN Exposed Pad | 84-TFBGA | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ความถี่นาฬิกา | 400 kHz | 400 MHz | 400 kHz | 20 MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 24VL024 | AS4C64 | 24VL025 | 23LC512 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -20°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 95°C (TC) | -20°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | Parallel | I²C | SPI - Quad I/O |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 24VL024T/MNY PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 24VL024T/MNY - Microchip Technology
AS4C64M16D2A-25BINAlliance Memory, Inc.IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
24VL025-I/SNMICROCIHIP
24V-5V-2AVicorIGBT Module24VL025/SNMicrochip TechnologyIC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC24VL024H-I/SNMICROCIHIP23LC512-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8TSSOP
MR256D08BMA45Everspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGA24V-12V-100WVicorIGBT Module24V-12V-50WVicorIGBT Module
IS43QR16256A-083RBLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96TWBGA
CY7C1518KV18-333BZCInfineon TechnologiesIC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA24VL014-I/SNMICROCIHIP24VL014T/MNYMicrochip TechnologyIC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8TDFN24VDC 50ADCA
24V16IAMI Semiconductor/onsemi
IS42S32400E-7TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
CYD18S72V-100BBICypress Semiconductor CorpIC SRAM 18MBIT PARALLEL 484FBGA
CY62157EV30LL-55ZXEInfineon TechnologiesIC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที