ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5114
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N5114 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N5114
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id | 10 V @ 1 nA | |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS) | 30 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-18 (TO-206AA) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500 | |
| ต้านทาน - RDS (on) | 75 Ohms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 25pF @ 15V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90 mA @ 18 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5114 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N5114
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5114 | 2N5116 | 2N5116 | 2N5115 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Central Semiconductor Corp | Solid State Inc. | Vishay Siliconix |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-18 (TO-206AA) | TO-18 | TO-18 | TO-206AA (TO-18) |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500 | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | - | 600 mV | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 25pF @ 15V | 25pF @ 15V | 25pF @ 15V | - |
| ต้านทาน - RDS (on) | 75 Ohms | 150 Ohms | 150 Ohms | - |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90 mA @ 18 V | 5 mA @ 15 V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5114 | - | - | 2N5115 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Tube |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | - |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id | 10 V @ 1 nA | 1 V @ 1 nA | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5114 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N5114 - Microchip Technology
2N5116Central Semiconductor CorpJFET P-CH 30V TO18
2N5109PBFREECentral Technologies2N5116Solid State Inc.JFET P-CH 30V TO18
2N5090Microchip TechnologyPOWER BJT
2N5089GonsemiTRANS NPN 25V 0.05A TO922N5115Vishay SiliconixJFET P-CH TO206AA2N5089onsemiTRANS NPN 25V 0.05A TO922N5115Central Semiconductor CorpJFET P-CH 30V TO18
2N5089TFRonsemiTRANS NPN 25V 0.1A TO92-32N5102MOTOROLAIGBT Module2N5089BU 2N5089FSC2N5089BUonsemiTRANS NPN 25V 0.1A TO92-32N5116Vishay SiliconixJFET P-CH TO206AA
2N5109Microsemi CorporationRF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO392N5116-E3Vishay SiliconixJFET P-CH TO206AA2N5116Microchip TechnologyJFET P-CH 30V TO182N5114Vishay SiliconixJFET P-CH TO206AA2N5115Microchip TechnologyJFET P-CH 30V TO18| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที