ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6193
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N6193 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N6193
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 (TO-205AD) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 2A, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6193 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N6193
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6193 | 2N6213 | 2N6211 | 2N6211 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Central Semiconductor Corp | Central Semiconductor Corp | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | 2 A | 2 A | 5 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6193 | - | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 2A, 2V | 10 @ 1A, 4V | 10 @ 1A, 2.8V | 30 @ 1A, 5V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 20MHz | 20MHz | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | PNP |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | 35 W | 35 W | 3 W |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 350 V | 225 V | 225 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 (TO-205AD) | TO-66 | TO-66 | TO-66 (TO-213AA) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A | 2V @ 125mA, 1A | 1.4V @ 125mA, 1A | 1.4V @ 125mA, 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-213AA, TO-66-2 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-213AA, TO-66-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TA) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | 5mA | 5mA | 5mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6193 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N6193 - Microchip Technology
2N615LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
2N6174Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR2N6213Central Semiconductor CorpTRANS PNP 350V 2A TO662N6171Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
2N6240onsemiSILICON CONTROLLED RECTIFIER2N6163Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC2N6165Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC2N6161Solid State Inc.TO 48 30 AMP TRIAC2N6173Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR2N6211Central Semiconductor CorpTRANS PNP 225V 2A TO662N6211Microchip TechnologyTRANS PNP 225V 0.005A TO662N6247Microchip TechnologyPOWER BJT2N6236AMI Semiconductor/onsemi2N6172Solid State Inc.ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
2N6264Harris CorporationPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN2N6160Solid State Inc.TO 48 30 AMP TRIAC2N6215Microchip TechnologyPOWER BJT2N6213Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที