ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 30FQ040
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 30FQ040 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 30FQ040
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 30FQ040
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 30FQ040 | SURA8215T3G | US1G-E3/5AT | 30FQ045 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 150 V | 400 V | 45 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-4 (DO-203AA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 15pF @ 4V, 1MHz | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 2A | 1A | 30A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | 950 mV @ 2 A | 1 V @ 1 A | 630 mV @ 30 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Standard | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | 2 µA @ 150 V | 10 µA @ 400 V | 1.5 mA @ 45 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 30FQ040 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 30FQ040 - Microchip Technology
30FMN-SMT-A-TFJST Sales America Inc.CONN FFC TOP 30POS 1MM R/A30FLZ-SM2-TBJSTSURA8215T3GonsemiDIODE GEN PURP 150V 2A SMA
30FG11TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module30F131TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module30FWJ2C11TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleUS1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC30FLT-SM1-TBJST30FMN-BTK-ALFSNJST30F-51NLYDS30FLT-SM2-TBJST30FQ045Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4B160-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC30FLZX-RSM1-R-A-P-GB-TBJST
SB02-09C-TB-EonsemiDIODE SCHOTTKY 90V 200MA 3CP30FLS-RSM1-GB-TBJST
MBRD360T4GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK30FWJ11TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที