ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 47L16T-E/ST
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 47L16T-E/ST คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 47L16T-E/ST
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 1ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM, SRAM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EERAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 47L16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 400 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 47L16T-E/ST
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 47L16T-E/ST | CY7C1420JV18-300BZXC | 47L16-I/SN | W25Q128JVBIQ |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Infineon Technologies | Microchip Technology | Winbond Electronics |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | 1M x 36 | 2K x 8 | 16M x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 1.7V ~ 1.9V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 165-LBGA | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 24-TBGA |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | 36Mbit | 16Kbit | 128Mbit |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 1ms | - | 1ms | 3ms |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EERAM | SRAM | EERAM | FLASH |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | 165-FBGA (15x17) | 8-SOIC | 24-TFBGA (6x8) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 47L16 | CY7C1420 | 47L16 | W25Q128 |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | 300 MHz | 1 MHz | 133 MHz |
| เวลาในการเข้าถึง | 400 ns | - | 400 ns | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | Parallel | I²C | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| ชุด | - | - | - | SpiFlash® |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tube | Tray |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| เทคโนโลยี | EEPROM, SRAM | SRAM - Synchronous, DDR II | EEPROM, SRAM | FLASH - NOR |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 47L16T-E/ST PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 47L16T-E/ST - Microchip Technology
CY7C1420JV18-300BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA47L16-I/SNMicrochip TechnologyIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOICW25Q128JVBIQWinbond ElectronicsIC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
47L04-I/STMicrochip47L04T-I/SNMicrochip TechnologyIC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L04-E/SNMicrochip
AT25XE021A-SSHN-TAdesto TechnologiesIC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC
CAT93C86VI-GonsemiIC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC
MX25U3235FZNI-10GMacronixIC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON47L16-I/STMicrochip TechnologyIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP47L16T-I/STMicrochip TechnologyIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP47L16-E/SNMicrochipMX25L12845EZNI-10GMacronixIC FLASH 128MBIT SPI 8WSON47L16-E/STMicrochip
IS42S32400F-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II47L04-I/SNMicrochip TechnologyIC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L16T-I/SNMicrochip TechnologyIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L64-I/SNMicrochip| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที