ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT1001RBVRG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT1001RBVRG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT1001RBVRG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | |
ชุด | POWER MOS V® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 500mA, 10V | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3660 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT1001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT1001RBVRG
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT1001RBVRG | APT10021JLL | APT1001R1BN | APT10025JVFR |
ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
ชุด | POWER MOS V® | POWER MOS 7® | POWER MOS IV® | POWER MOS V® |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3660 pF @ 25 V | 9750 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V | 18000 pF @ 25 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | ISOTOP® | TO-247AD | ISOTOP® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | 37A (Tc) | 10.5A (Tc) | 34A (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 500mA, 10V | 210mOhm @ 18.5A, 10V | 1.1Ohm @ 5.25A, 10V | 250mOhm @ 500mA, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT1001 | APT10021 | - | APT10025 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 5V @ 5mA | 4V @ 1mA | 4V @ 5mA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | 395 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 990 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT1001RBVRG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT1001RBVRG - Microchip Technology
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที