ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT13GP120BG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT13GP120BG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT13GP120BG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.9V @ 15V, 13A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9ns/28ns | |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 165µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 55 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT13GP120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT13GP120BG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT13GP120BG | APT13GP120BDQ1G | APT14M120B | APT140N65JC6 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | 41 A | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | 50 A | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 250 W | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 55 nC | 55 nC | - | - |
| ประเภท IGBT | PT | PT | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.9V @ 15V, 13A | 3.9V @ 15V, 13A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ชุด | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9ns/28ns | 9ns/28ns | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT13GP120 | APT13GP120 | APT14M120 | - |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 165µJ (off) | 115µJ (on), 165µJ (off) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT13GP120BG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT13GP120BG - Microchip Technology
APT14M120BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 14A TO247APT140N65JC6MicrosemiIGBT ModuleAPT13F120BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 14A TO247APT14050JVRXIGBT Module
APT150GN120JDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOPAPT14M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 14A TO247APT14050JVFRXAPTIGBT Module
APT14050JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOPAPT14050JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT150GN120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
APT13005TF-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 450V 4A TO220-3APT13GP120BDQ1GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 41A 250W TO247APT13005T-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 450V 4A TO220-3
APT13005TFDiodes IncorporatedAPT13005SU-G67Diodes IncorporatedAPT13005TF-E1Diodes IncorporatedIC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92APT130GL60JNAPTIGBT ModuleAPT13GP120BDQ1APT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที