ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT60GA60JD60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT60GA60JD60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT60GA60JD60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 62A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | POWER MOS 8™ | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 356 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 8.01 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 275 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 112 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT60GA60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT60GA60JD60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT60GA60JD60 | APT60GF60JU2 | APT60GF120JRD | APT60GF60JU3 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 275 µA | 80 µA | 500 mA | 80 µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 112 A | 93 A | 115 A | 93 A |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 8.01 nF @ 25 V | 3.59 nF @ 25 V | 7.08 nF @ 25 V | 3.59 nF @ 25 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 62A | 2.5V @ 15V, 60A | 3.4V @ 15V, 60A | 2.5V @ 15V, 60A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | SOT-227 | SOT-227 (ISOTOP®) | SOT-227 |
| ชุด | POWER MOS 8™ | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT60GA60 | - | APT60 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP |
| ประเภท IGBT | PT | NPT | NPT | NPT |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 356 W | 378 W | 521 W | 378 W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT60GA60JD60 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT60GA60JD60 - Microchip Technology
APT60GF120JPDAPTIGBT Module
APT60GT100JRDMicrosemiIGBT ModuleAPT60GT120JRDMicrosemiIGBT Module
APT60DF60HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 600V 90A SOT227APT60GS120JRDMicrosemiIGBT ModuleAPT60GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 93A 378W SOT227APT60DB60BQAPT
APT60DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 60A TO247APT60GA60JMicrosemiIGBT ModuleAPT60DF20HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 200V 90A SOT227APT60GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOPAPT60DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 60A TO247APT60GF60JU3Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 93A 378W SOT227APT60DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 60A TO247APT60DQ60BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 60A TO247APT60GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOPAPT60D60LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 60A TO264APT60G60JRDIGBTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที