ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT60GT60JRDQ3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT60GT60JRDQ3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT60GT60JRDQ3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 60A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | Thunderbolt IGBT® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 379 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| กทช Thermistor | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.1 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 330 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 105 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT60GT60 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT60GT60JRDQ3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT60GT60JRDQ3 | APT60GT60JR | APT60M25JVR | APT60GT120JRDX |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi | Microsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 379 W | 378 W | - | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | - | - |
| ชุด | Thunderbolt IGBT® | Thunderbolt IGBT® | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 330 µA | 80 µA | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT60GT60 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 105 A | 93 A | - | - |
| กทช Thermistor | No | No | - | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.1 nF @ 25 V | 1.6 nF @ 25 V | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 60A | 2.5V @ 15V, 60A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT60GT60JRDQ3 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT60GT60JRDQ3 - Microchip Technology
APT60M25JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT60GT120JRDXMicrosemiIGBT Module
APT60GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 500W TO247
APT60M60JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOPAPT60GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOPAPT60M75JNMicrosemiIGBT ModuleAPT60M75JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOPAPT60GT100JRDMicrosemiIGBT Module
APT60GT60BRMICROSEAPT60M75JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOPAPT60M50JVRAPTIGBT ModuleAPT60GT120JRDMicrosemiIGBT ModuleAPT60M75JNRMicrosemiIGBT ModuleAPT60GT60MicrosemiIGBT ModuleAPT60GT60JRDAPTIGBT ModuleAPT60GT60JRDXAPTIGBT ModuleAPT60GT60JRDQ2MicrosemiIGBT ModuleAPT60M60JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที