ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT85GR120L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT85GR120L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT85GR120L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.2V @ 15V, 85A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 43ns/300ns | |
| การสลับพลังงาน | 6mJ (on), 3.8mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 962 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 660 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 340 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 170 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT85GR120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT85GR120L
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT85GR120L | APT80GP60J | APT80GP60JDF | APT94N65B2C3G MOS |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | APT | Microsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 340 A | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.2V @ 15V, 85A | 2.7V @ 15V, 80A | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | ISOTOP | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 43ns/300ns | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT85GR120 | APT80GP60 | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 170 A | 151 A | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 660 nC | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 962 W | 462 W | - | - |
| ประเภท IGBT | NPT | PT | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | - | - |
| ชุด | - | POWER MOS 7® | - | - |
| การสลับพลังงาน | 6mJ (on), 3.8mJ (off) | - | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 | ISOTOP® | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT85GR120L PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT85GR120L - Microchip Technology
APT80GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOPAPT80GP60JDFAPTAPT94N65B2C3G MOSMicrosemiAPT90GF90JNMicrosemiIGBT Module
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 8A TO220
APT94N60L2C3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 94A 264 MAXAPT80GP60JDQ3Microchip TechnologyIGBT 600V 151A 462W SOT227
APT80M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOPAPT8M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 8A TO247APT8075BVRGAPTAPT8L16NHAPTAPT94N65B2C3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 650V 94A T-MAXAPT94N60L2C3APTAPT80SM120BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 1200V 80A TO247APT80GP60JDF3APTIGBT ModuleAPT85GR120JR60APTIGBT ModuleAPT8L16VHAPTCHIPAPT8075BNRAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที