ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGF150DH120G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APTGF150DH120G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APTGF150DH120G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.7V @ 15V, 150A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 961 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 10.2 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 A | |
| องค์ประกอบ | Asymmetrical Bridge |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APTGF150DH120G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGF150DH120G | APTGF150A120TG | APTGF165DA60D1G | APTGF150DU120TG |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| ชุด | - | - | - | - |
| องค์ประกอบ | Asymmetrical Bridge | Half Bridge | Single | Dual, Common Source |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 10.2 nF @ 25 V | 10.2 nF @ 25 V | 9 nF @ 25 V | 10.2 nF @ 25 V |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | NPT |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.7V @ 15V, 150A | 3.7V @ 15V, 150A | 2.5V @ 15V, 200A | 3.7V @ 15V, 150A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 A | 200 A | 230 A | 200 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | SP4 | D1 | SP4 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 961 W | 961 W | 730 W | 961 W |
| กทช Thermistor | No | Yes | No | Yes |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | 350 µA | 500 µA | 350 µA |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | SP4 | D1 | SP4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGF150DH120G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APTGF150DH120G - Microchip Technology
APTGF150A120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4APTGF150A12TGIGBT ModuleAPTGF165DA60D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 230A 730W D1APTGF125SK60D1GAPTIGBT ModuleAPTGF125A60D1GAPTIGBT ModuleAPTGF15X60BTP2GAPTIGBT ModuleAPTGF15X120P2GAPTIGBT ModuleAPTGF15X120E2GAPTIGBT ModuleAPTGF15X120TP2GAPTIGBT ModuleAPTGF150DU120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4APTGF150H120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6APTGF125X60E3GAPTIGBT ModuleAPTGF10X60BTP2GAPTIGBT ModuleAPTGF180A60D3GAPTIGBT ModuleAPTGF125X60TE3GAPTIGBT ModuleAPTGF150X60TE3GAPTIGBT ModuleAPTGF125DA60D1APTIGBT ModuleAPTGF10X60RTP2GAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที