ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT450SK60G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APTGT450SK60G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APTGT450SK60G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 450A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1750 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 37 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 550 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT450 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APTGT450SK60G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT450SK60G | APTGT50SK170D1G | APTGT50SK120D1G | APTGT50A170D1G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1700 V | 1200 V | 1700 V |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 550 A | 70 A | 75 A | 70 A |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Half Bridge |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | D1 | D1 | D1 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | D1 | D1 | D1 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT450 | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 450A | 2.4V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 50A | 2.4V @ 15V, 50A |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 37 nF @ 25 V | 4.4 nF @ 25 V | 3.6 nF @ 25 V | 4.4 nF @ 25 V |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | 6 mA | 5 mA | 6 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1750 W | 310 W | 270 W | 310 W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT450SK60G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APTGT450SK60G - Microchip Technology
APTGT50SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 70A 310W D1APTGT35X120RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT50SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 75A 270W D1APTGT400U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT40X170RTP3APTIGBT ModuleAPTGT50A170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 70A 310W D1APTGT40X170BTP3APTIGBT Module
APTGT50DDA60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3APTGT400U170D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 800A 2080W D4APTGT50X120BTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT50SK170T1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1APTGT400U120D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 600A 2250W D4APTGT50X120RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT450A60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6APTGT450DA60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6APTGT50DA170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 70A 310W D1APTGT450A600APTIGBT ModuleAPTGT50DDA120T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที