ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ER59256/P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - ER59256/P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - ER59256/P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256bit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16 x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Serial | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 250 kHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology ER59256/P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ER59256/P | CYD09S72V-167BBC | FT24C02A-USG-T | CY7C1414KV18-300BZXC |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Infineon Technologies | Fremont Micro Devices Ltd | Infineon Technologies |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 1.8V ~ 5.5V | 1.7V ~ 1.9V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | 484-FBGA (23x23) | 8-SOP | 165-FBGA (13x15) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16 x 16 | 128K x 72 | 256 x 8 | 1M x 36 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile | Volatile |
| เทคโนโลยี | EEPROM | SRAM - Dual Port, Synchronous | EEPROM | SRAM - Synchronous, QDR II |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Serial | Parallel | I²C | Parallel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 484-BGA | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 165-LBGA |
| ความถี่นาฬิกา | 250 kHz | 167 MHz | 1 MHz | 300 MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | SRAM | EEPROM | SRAM |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | 5ms | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256bit | 9Mbit | 2Kbit | 36Mbit |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tape & Reel (TR) | Tray |
CYD09S72V-167BBCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 484FBGAFT24C02A-USG-TFremont Micro Devices LtdIC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOPCY7C1414KV18-300BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
AT24C16-10TI-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP
CY7C1462KV25-200AXCInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP
ER504_AY_00001PANJIT
DS1230YP-100Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
ER5911Micrel / Microchip Technology
25LC320-E/SNMicrochip TechnologyIC EEPROM 32KBIT SPI 2MHZ 8SOICER504_AY_000101PANJIT
CY14B101L-SZ45XCTInfineon TechnologiesIC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32SOICER59256Micrel / Microchip Technology
W25Q512JVFIQWinbond ElectronicsIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
CY7C1325G-133BGCInfineon TechnologiesIC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA
IS62WV12816BLL-55TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
CY62147EV30LL-45ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
CAT28C64BWI-12TonsemiIC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC
MT46V128M8P-75:AMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที