ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N3600
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N3600 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N3600
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-7 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/231 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AA, DO-7, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N3600
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N3600 | JAN1N3650 | JAN1N3671A | JAN1N3890AR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AA, DO-7, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/231 | Military, MIL-PRF-19500/260 | Military, MIL-PRF-19500/260 | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-7 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | - | 150 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | 2.2 V @ 10 A | 1.35 V @ 38 A | 1.5 V @ 20 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 1000 V | 800 V | 100 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 3.3A | 12A | 20A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N3600 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N3600 - Microchip Technology
JAN1N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AAJAN1N3337RBMicrochip TechnologyZENER DIODEJAN1N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AAJAN1N3350RMSCIGBT ModuleJAN1N3890ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N3889RMSCIGBT ModuleJAN1N3344BMicrochip TechnologyZENER DIODE
JAN1N3765RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N3347RBMicrochip TechnologyZENER DIODEJAN1N3883RMSCIGBT ModuleJAN1N3825AJAN1N3334RAMSCIGBT ModuleJAN1N3345RBMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATORJAN1N3881ARMSCIGBT ModuleJAN1N3595FSCJAN1N3881AMSCIGBT ModuleJAN1N3891Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AAJAN1N3348RMSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที