ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTX1N6306R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANTX1N6306R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANTX1N6306R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANTX1N6306R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTX1N6306R | JANTX1N6392 | JANTX1N6304R | JANTX1N6075 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 155°C |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/554 | - | Military, MIL-PRF-19500/503 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | 680 mV @ 50 A | 1.18 V @ 150 A | 2.04 V @ 9.4 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | A, Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 54A | 70A | 850mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | 2 mA @ 45 V | 25 µA @ 50 V | 1 µA @ 150 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-203AB (DO-5) | DO-5 (DO-203AB) | A-PAK |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 45 V | 50 V | 150 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | - | 60 ns | 30 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANTX1N6306R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANTX1N6306R - Microchip Technology
JANTX1N6463USSemtech CorporationDIODE ZENER 12V 500W SMJANTX1N6157ASemtech CorporationT MET BI 1500W 43VJANTX1N6464Semtech CorporationT DAP UNI 500W 15V
JANTX1N6467USMicrochip TechnologyTVS DIODE 40.3VWM 63.5VC
JANTX1N6048AMicrochip TechnologyTVS DIODE 20VWM 33.2VC DO13JANTX1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203ABJANTX1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5
JANTX1N6466Microchip TechnologyTVS DIODE 30.5VWM 47.5VC AXIALJANTX1N6466Semtech CorporationT DAP UNI 500W 30.5V
JANTX1N6052AMicrosemi
JANTX1N6463USMicrochip TechnologyTVS DIODE 12VWM 22.6VC B SQ-MELF
JANTX1N6157AMicrochip TechnologyTVS DIODE 32.7VWM 59.1VC C AXIALJANTX1N6064AMicrochip TechnologyTVS DIODE 94VWM 152VC DO13JANTX1N6464Microchip TechnologyTVS DIODE 15VWM 26.5VC AXIAL
JANTX1N6053AMicrochip TechnologyTVS DIODE 33VWM 53.9VC DO13JANTX1N6075Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 850MA A-PAKJANTX1N6461Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 9VC EAXIALJANTX1N6106AMicrochip TechnologyTVS DIODE 7.6VWM 14.5VC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที