ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTXV1N2999B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANTXV1N2999B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANTXV1N2999B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 56 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 2 A | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-213AA (DO-4) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/124 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 10 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 16 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 42.6 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2999 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANTXV1N2999B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTXV1N2999B | JANTXV1N4107-1 | JANTXV1N2975B | JANTXV1N2997B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 16 Ohms | 200 Ohms | 3 Ohms | 15 Ohms |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 42.6 V | 50 nA @ 9.9 V | 10 µA @ 8.4 V | 10 µA @ 38.8 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-213AA (DO-4) | DO-35 (DO-204AH) | DO-213AA (DO-4) | DO-213AA (DO-4) |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/124 | Military, MIL-PRF-19500/435 | Military, MIL-PRF-19500/124 | Military, MIL-PRF-19500/124 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2999 | 1N4107 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 2 A | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 2 A | 1.5 V @ 2 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 10 W | 500 mW | 10 W | 10 W |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 56 V | 13 V | 11 V | 51 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANTXV1N2999B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANTXV1N2999B - Microchip Technology
JANTXV1N4107-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 13V 500MW DO35JANTXV1N2975BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N2997BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N2979BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N3000BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N2991BMicrochip TechnologyDIODE ZENER 36V 10W DO213AAJANTXV1N2976BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N4123JANTXV1N2987BMSCIGBT ModuleJANTXV1N3013BMSCIGBT ModuleJANTXV1N3295RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100A DO205AAJANTXV1N2994BMSCIGBT ModuleJANTXV1N2989BMicrochip TechnologyDIODE ZENER 30V 10W DO213AAJANTXV1N3009BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N2985BMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N3007BMicrochip TechnologyZENER DIODE
JANTXV1N4117-1Microsemi
JANTXV1N4107-1MACOM Technology SolutionsDIODE ZENER 13V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที