ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTXV1N6326US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANTXV1N6326US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANTXV1N6326US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1 A | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/533 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9 V |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANTXV1N6326US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTXV1N6326US | JANTXV1N829-1 | JANTXV1N6642 | JANTXV1N5822US |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | DO-204AH, DO-35, Axial | Axial | SQ-MELF, B |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | 15 Ohms | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9 V | 2 µA @ 3 V | 500 nA @ 100 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | 6.2 V | - | - |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/533 | Military, MIL-PRF-19500/159 | Military, MIL-PRF-19500/578 | Military, MIL-PRF-19500/620 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1 A | - | 1.2 V @ 100 mA | 500 mV @ 3 A |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | DO-35 (DO-204AH) | - | B, SQ-MELF |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANTXV1N6326US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANTXV1N6326US - Microchip Technology
JANTXV1N6642Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MAJANTXV1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
JANTXV1N6625USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5AJANTXV1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5JANTXV1N6642USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MA D-5B
JANTXV1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIALJANTXV1N7039CCT1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254JANTXV1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JANTXV1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANTXV1N914Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35JANTXV1N829-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35JANTXV1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAJANTXV1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJANTXV1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203AB
JANTXV2N2222AMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A TO18
JANTXV1N6844U3MicrosemiJANTXV1N5815RMicrosemiIGBT Module
JANTXV1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที