ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTXV1N6326US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANTXV1N6326US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANTXV1N6326US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1 A | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/533 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9 V |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANTXV1N6326US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTXV1N6326US | JANTXV1N829-1 | JANTXV1N5812R | JANTXV1N6625US |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | SQ-MELF, A |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | 15 Ohms | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9 V | 2 µA @ 3 V | 10 µA @ 50 V | 1 µA @ 1100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Stud Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | 6.2 V | - | - |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/533 | Military, MIL-PRF-19500/159 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1 A | - | 950 mV @ 20 A | 1.75 V @ 1 A |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | DO-35 (DO-204AH) | DO-203AA (DO-4) | D-5A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANTXV1N6326US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANTXV1N6326US - Microchip Technology
JANTXV1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAJANTXV1N6625USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5AJANTXV1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203ABJANTXV1N6642Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MA
JANTXV1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41
JANTXV2N2484Microchip TechnologyTRANS NPN 60V 0.05A TO18JANTXV1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5JANTXV1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJANTXV1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANTXV2N2222AMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A TO18
JANTXV1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIALJANTXV1N914Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35JANTXV1N829-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35JANTXV2N2222AUBMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A UBJANTXV1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JANTXV1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELFJANTXV1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5AJANTXV1N7039CCT1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที