ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R4320
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - R4320 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - R4320
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology R4320
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | R4320 | 1N1585 | PMEG10020ELRX | R43140 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Nexperia USA Inc. | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | 175°C (Max) | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 400 V | 100 V | 1400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | 3A | 2A | 150A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-4 (DO-203AA) | SOD-123W | DO-205AA (DO-8) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | 1.3 V @ 30 A | 830 mV @ 2 A | 1.1 V @ 200 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 70pF @ 1V, 1MHz | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | 10 µA @ 400 V | 150 nA @ 100 V | 50 µA @ 1400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | SOD-123W | DO-205AA, DO-8, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล R4320 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ R4320 - Microchip Technology
1N1585Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A DO4PMEG10020ELRXNexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123WR43140Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 150A DO205AAR4340Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
NRVBM2H100T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
RB491DT146Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A SMD3R4380Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 150A DO205AAR4350Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 150A DO205AAR43160Microchip TechnologyDIODE GP 1.6KV 150A DO205AA
BAV21W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123R4360Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 150A DO205AAR43120Microchip TechnologyDIODE GP 1.2KV 150A DO205AA
1N2283Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO5R4310Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 150A DO205AAR43100Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 150A DO205AAR4330Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA
R4310Brady CorporationR4300 PRINTER RIBBON 75' BK
RB521VM-40TE-17Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที