ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S504160TS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - S504160TS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - S504160TS
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology S504160TS
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S504160TS | S504100TS | S504120TS | S504160 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | SR504 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1600 V | 1000 V | 1200 V | 1600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300A | 300A | 300A | 300A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1600 V | 75 µA @ 1000 V | 75 µA @ 1200 V | 75 µA @ 1600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1000 A | 1.25 V @ 1000 A | 1.25 V @ 1000 A | 1.25 V @ 1000 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S504160TS PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ S504160TS - Microchip Technology
S504100TSMicrochip TechnologyDIODE GP 1KV 300A DO205AB DO9S504120TSMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 300A DO205AB DO9
S503TXR-GS08Electro-Films (EFI) / VishayS504160Microchip TechnologyDIODE GP 1.6KV 300A DO205AB DO9S50420Microchip TechnologyDIODE GP 200V 300A DO205AB DO9S504100Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 300A DO205AB DO9S504140TSMicrochip TechnologyDIODE GP 1.4KV 300A DO205AB DO9S50420TSMicrochip TechnologyDIODE GP 200V 300A DO205AB DO9S504120Microchip TechnologyDIODE GP 1.2KV 300A DO205AB DO9S50460TSMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 300A DO205AB DO9S50440Microchip TechnologyDIODE GP 400V 300A DO205AB DO9S504140Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 300A DO205AB DO9S50430Microchip TechnologySTD RECTIFIERS50410TSMicrochip TechnologySTD RECTIFIERS50410Microchip TechnologyDIODE GP 100V 300A DO205AB DO9S50430TSMicrochip TechnologySTD RECTIFIERS50440TSMicrochip TechnologyDIODE GP 400V 300A DO205AB DO9S50460Microchip TechnologyDIODE GP 600V 300A DO205AB DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที