ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SBR8060
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - SBR8060 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - SBR8060
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 770 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2000pF @ 5V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology SBR8060
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SBR8060 | SBR8A45SP5-13 | SBR8050 | SBR8A60P5-13 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Diodes Incorporated |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | PowerDI™ 5 | - | PowerDI™ 5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 8A | 80A | 8A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | SBR® | - | SBR® |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2000pF @ 5V, 1MHz | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Super Barrier | Schottky | Super Barrier |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 770 mV @ 80 A | 600 mV @ 8 A | 740 mV @ 80 A | 620 mV @ 8 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 45 V | 50 V | 60 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | PowerDI™ 5 | DO-203AB, DO-5, Stud | PowerDI™ 5 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SBR8060 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ SBR8060 - Microchip Technology
SBR8A45SP5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 8A POWERDI5SBR8050Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 80A 50V DO5SBR860LRCSBR8A60P5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 60V 8A POWERDI5SBR8060RMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5SBR8045RMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
SBR8A60SP5-13Diodes IncorporatedSBR8B60P5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 60V 5A POWERDI5
SBR7045RMicrosemiIGBT ModuleSBR8045Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5SBR8050RMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 80A DO5SBR8040RMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5SBR8215Microsemi CorporationDIODE SCHOTTKY 15V 80A DO5SBR8040Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5SBR8035Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 35V 85A DO203AB
SBR80520LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123SBR8215RMicrosemiIGBT ModuleSBR80520LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที