ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี USD535
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - USD535 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - USD535
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology USD535
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | USD535 | 1N3670 | US1001FL_R1_00001 | ES3DHE3_A/I |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Panjit International Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | SOD-123F | DO-214AB, SMC |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75A | 22A | 1A | 3A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-4 | SOD-123FL | DO-214AB (SMC) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 9pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 700 V | 100 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 mA @ 35 V | 10 µA @ 700 V | 1 µA @ 100 V | 10 µA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 60 A | 1.2 V @ 30 A | 1 V @ 1 A | 900 mV @ 3 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล USD535 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ USD535 - Microchip Technology
1N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO4US1001FL_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FLES3DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
NSR0130P2T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
BAS70-TPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23
PMEG060V100EPDZNexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
SJPB-L4VLSanken Electric USA Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP
1SS355Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323
HFA90NH40Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 90A D-67MR1120RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
USD445LUMILEDSIGBT Module
DPG60IM300PCIXYS CorporationDIODE GEN PURP 300V 60A TO263
FDLL914Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
MMBD4148,215NXP SemiconductorsDIODE GEN PURP 75V 215MA TO236ABPMEG3010BEA115Nexperia USA Inc.NOW NEXPERIA PMEG3010BEA - RECTI1N4004-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO41
USD945Microsemi
1N6626UE3Microchip TechnologyDIODE GP 200V 1.75A E AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที