Name: Microchip Technology VP2110K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VP2110K1-G

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Microchip Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-236AB (SOT23)
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	12Ohm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	360mW (Ta)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	60 pF @ 25 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	120mA (Tj)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	VP2110

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	VP2110K1-G	VP2106N3-G	VP2128SPG8	VP2019LF
ผู้ผลิต	Microchip Technology	Microchip Technology	VIVA	LB
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	12Ohm @ 500mA, 10V	12Ohm @ 500mA, 10V	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100 V	60 V	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-236AB (SOT23)	TO-92-3	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	-
ชุด	-	-	-	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	-	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	60 pF @ 25 V	60 pF @ 25 V	-	-
ประเภท FET	P-Channel	P-Channel	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	360mW (Ta)	1W (Tc)	-	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Through Hole	-	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	VP2110	VP2106	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	120mA (Tj)	250mA (Tj)	-	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	5V, 10V	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1mA	3.5V @ 1mA	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Bag	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

VP2110K1-G - Microchip Technology

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

VP2110K1-G Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

VP2110K1-G

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

VP2110K1-G - Microchip Technology

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

VP2110K1-G Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

VP2110K1-G

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ