ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - EDB2432B4MA-1DAAT-F-D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Micron Technology | |
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | |
เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR2 | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 134-VFBGA (10x11.5) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 134-VFBGA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | |
องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 32 | |
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
ความถี่นาฬิกา | 533 MHz | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDB2432 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | EDB1332BDBH-1DAAT-F-D | EDB2432BCPE-8D-F-D | EDB2432BCPA-8D-F-D |
ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tray | Tray |
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDB2432 | EDB1332 | EDB2432 | EDB2432 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ชุด | - | - | - | - |
รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 134-VFBGA (10x11.5) | 134-VFBGA (10x11.5) | 168-WFBGA (12x12) | 168-WFBGA (12x12) |
ความถี่นาฬิกา | 533 MHz | 533 MHz | 400 MHz | 400 MHz |
องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 32 | 32M x 32 | 64M x 32 | 64M x 32 |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 134-VFBGA | 134-VFBGA | 168-WFBGA | 168-WFBGA |
ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | 1Gbit | 2Gbit | 2Gbit |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) | -40°C ~ 105°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EDB2432B4MA-1DAAT-F-D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ EDB2432B4MA-1DAAT-F-D - Micron Technology Inc.
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที