ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M29DW256G70ZA6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M29DW256G70ZA6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M29DW256G70ZA6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 64-TBGA (10x13) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 64-TBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29DW256 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M29DW256G70ZA6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M29DW256G70ZA6E | M29DW127G70NF6E | M29DW323DB70N6 | M29DW323DB70ZE6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | 70ns | 70ns | 70ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 64-TBGA (10x13) | 56-TSOP | 48-TSOP | 48-TFBGA (6x8) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 64-TBGA | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFBGA |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | 128Mbit | 32Mbit | 32Mbit |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | 16M x 8, 8M x 16 | 4M x 8, 2M x 16 | 4M x 8, 2M x 16 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29DW256 | M29DW127 | M29DW323 | M29DW323 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M29DW256G70ZA6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ M29DW256G70ZA6E - Micron Technology Inc.
M29DW128F-70NF6ST/PBFM29DW127G70NF6EMicron Technology Inc.IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
M29DW323DT-70N6STMicroelectronicsM29DW128G60ZA6STMicroelectronicsM29DW323DB-70N6ESTMicroelectronicsM29DW323DB70N6Micron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOPM29DW323DB70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGAM29DW128F70ZA6FSTMicroelectronicsM29DW323DB-70N6M29DW323BD70ZE6ESTMicroelectronicsM29DW323DB-90N6STMicroelectronics
M29DW128G70NF6EMicron TechnologyM29DW128G70NF6Micron TechnologyM29DW323DB70N6EMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOPM29DW128G60ZA6EMicron TechnologyM29DW256G70NF6EMicron Technology Inc.IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOPM29DW323DB70N6FMicron TechnologyM29DW256G70NF6Micron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที