ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M29DW323DT70N6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M29DW323DT70N6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M29DW323DT70N6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 8, 2M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29DW323 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M29DW323DT70N6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M29DW323DT70N6E | M29DW323DB70N6 | M29DW640F70ZE6E | M29DW323DT70ZE6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 8, 2M x 16 | 4M x 8, 2M x 16 | 8M x 8, 4M x 16 | 4M x 8, 2M x 16 |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Mbit | 32Mbit | 64Mbit | 32Mbit |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | 70ns | 70ns | 70ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP | 48-TSOP | 48-TFBGA (6x8) | 48-TFBGA (6x8) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29DW323 | M29DW323 | M29DW640 | M29DW323 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFBGA | 48-TFBGA |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M29DW323DT70N6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ M29DW323DT70N6E - Micron Technology Inc.
M29DW324DB-70N6STMicroelectronicsM29DW323DT70N6HSTMicroelectronicsM29DW323DB70N6Micron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOPM29DW324DB70N6STMicroelectronicsM29DW323DT70ZE6STMicroelectronicsM29DW323DT-70ZE6 HSTMicroelectronicsM29DW324DB-70N6ESTMicroelectronics
M29DW323DB70N6FMicron TechnologyM29DW640F70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGAM29DW323DT-70ZE6ESTMicroelectronicsM29DW323DB-70N6ESTMicroelectronicsM29DW323DT70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGAM29DW323DB70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGAM29DW323DB70N6EMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOPM29DW641F-60N6STMicroelectronicsM29DW324DB70N6ESTMicroelectronicsM29DW641F60N6ESTMicroelectronicsM29DW323DB-90N6STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที