ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M29F800FB5AM6F2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M29F800FB5AM6F2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M29F800FB5AM6F2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-SOIC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 8, 512K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M29F800FB5AM6F2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M29F800FB5AM6F2 | M29F800FT5AN6E2 | M29F800DT70N6E | M29F800FB5AN6F2 |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Alliance Memory, Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns | 55 ns | 70 ns | 55 ns |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | 55ns | 70ns | 55ns |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) | 48-TSOP I | 48-TSOP | 48-TSOP |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-SOIC | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) |
M29F800FB55M3STMicroelectronicsM29F800FT5AN6E2Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP IM29F800DB70M1KANOVM29F800DT70N6EMicron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOPM29KW064E-90N1STMicroelectronicsM29KW032E90N1LIGHTFLASHM29F800FB5AN6F2Alliance Memory, Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOPM29F800DT-70N1STMicroelectronics
M29F800FB5AN6E2Alliance Memory, Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP IM29F800DT-70N6STMicroelectronicsM29F800DT70N6Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOPM29KW032E-90N1STMicroelectronics
M29F800DB70M1Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SOM29KW064E-90N1TSTMicroelectronicsM29F800DB70M6Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
M29F800FB5AN6F2Micron Technology Inc.FLASH NOR 8Mb (1M x 8, 512K x 16M29F800DT70N1Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOPM29KW016E90N1STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที