ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M29W512GH7AN6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M29W512GH7AN6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M29W512GH7AN6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 56-TSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8, 32M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29W512 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | OBSOLETE |
| HTSUS | 0000.00.0000 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M29W512GH7AN6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M29W512GH7AN6E | M29W400DT55ZE6E | M29W400DT70N6E | M29W400DT70ZE6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8, 32M x 16 | 512K x 8, 256K x 16 | 512K x 8, 256K x 16 | 512K x 8, 256K x 16 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | 55ns | 70ns | 70ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFBGA | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFBGA |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 56-TSOP | 48-TFBGA (6x9) | 48-TSOP I | 48-TFBGA (6x9) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29W512 | M29W400 | M29W400 | M29W400 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tray | Tray |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns | 55 ns | 70 ns | 70 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M29W512GH7AN6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ M29W512GH7AN6E - Micron Technology Inc.
M29W400FT5AZA6FMicron Technology
M29W400DT70N6STMicroelectronicsM29W640FB70NSTMicroelectronics
M29W400DT55ZE6FNUMONYXM29W400FB55N3EMicronM29W640FB-70N6EMIRCONM29W400DT90N6STMicroelectronicsM29W512ET-90N6STMicroelectronicsM29W640DT90N1STMicroelectronicsM29W640FB-70N6STMicroelectronicsM29W400DT55ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGAM29W640DT-90N1STMicroelectronicsM29W640DB90N6STMicroelectronicsM29W640DB-90N6STMicroelectronicsM29W400DT70N6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP IM29W400DT70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGAM29W640FB70N6STMicroelectronicsM29W640DT90N6ESTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที