ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M29W800DB90N1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M29W800DB90N1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M29W800DB90N1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 90ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP I | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 8, 512K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29W800 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 90 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M29W800DB90N1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M29W800DB90N1 | M29W800DB70ZE6E | M29W800DB70N6E | M29W800DT70N1 |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 | 1M x 8, 512K x 16 |
| เวลาในการเข้าถึง | 90 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFBGA | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M29W800 | M29W800 | M29W800 | M29W800 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP I | 48-TFBGA (6x8) | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 90ns | 70ns | 70ns | 70ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M29W800DB90N1 PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ M29W800DB90N1 - Micron Technology Inc.
M29W800DT70N1TSTMicroelectronicsM29W800DT-70ZE6STMicroelectronicsM29W800DB70ZE6STMicroelectronicsM29W800DT-70N1STMicroelectronicsM29W800DB70N6FSTMicroelectronics
M29W800DT-70N6EMicron TechnologyM29W800DB70ZA6STMicroelectronicsM29W800DB70N6 HSTMicroelectronics
M29W800DTAMD XilinxM29W800DB70ZA6ESTMicroelectronics
M29W800DT-70N6ST-PBM29W800DB70ZE6EMicron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGAM29W800DT70M6STMicroelectronicsM29W800DB70N6EMicron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP IM29W800DB70N6TSTMicroelectronicsM29W800DB70ZE6FMicron TechnologyM29W800DT-90N6STMicroelectronicsM29W800DT70N1Micron Technology Inc.IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที