ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M39L0R8090U3ZE6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - M39L0R8090U3ZE6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - M39L0R8090U3ZE6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 133-VFBGA (8x8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 133-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit, 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16, 32M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M39L0R8090 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M39L0R8090U3ZE6E | M39B0RB0B0N3PZNF | M39B0RB0A0N1ZDAF | M39P0R9070E4ZAD |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M39L0R8090 | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit, 512Mbit | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 133-VFBGA (8x8) | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16, 32M x 16 | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 133-VFBGA | - | - | - |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | - | - | - |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M39L0R8090U3ZE6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ M39L0R8090U3ZE6E - Micron Technology Inc.
M39B0RB0B0N3PZNFSTMicroelectronicsM39B0RB0A0N1ZDAFSTMicroelectronicsM39P0R9070E4ZADSTMicroelectronics
M395FWAXBG-7KR6TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraM39LNR9A90E1P5HFSTMicroelectronicsM395FWXBG-7GA2TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraM395FWXBG-7GF7TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraM39P0R9070E0ZADSTMicroelectronicsM39L0R8090U3ZE6STMicroelectronicsM395FWAGC-7KR6TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraM39B0RA090N0zd5STMicroelectronicsM395FWAXBG-7GH7TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraM39B0RB0B0N3P2NFSTMicroelectronicsM39POR1080E4ZADSTMicroelectronicsM39LNR9A90E1P5HSTMicroelectronicsM39P0R1080E4ZADSTMicroelectronicsM39PNR9190E0ZASSTMicroelectronicsM39B0RB0A0N1ZDAESTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที