ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT29F1G01ABBFDWB-IT:F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT29F1G01ABBFDWB-IT:F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT29F1G01ABBFDWB-IT:F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 1 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F1G01 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT:F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT29F1G01ABBFDWB-IT:F | MT29F1G01ABAFDSF-IT:F | MT29F1G08ABADAH4-E:D | MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UDFN | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 63-VFBGA | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 1 | 1G x 1 | 128M x 8 | 1G x 1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 105°C (TA) |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F1G01 | MT29F1G01 | MT29F1G08 | MT29F1G01 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tube | Tray | Tube |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | 1Gbit | 1Gbit | 1Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | 16-SO | 63-VFBGA (9x11) | 16-SO |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | Parallel | SPI |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT29F1G01ABBFDWB-IT:F PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT29F1G01ABBFDWB-IT:F - Micron Technology Inc.
MT29F1G08AACWP:CMicron TechnologyMT29F1G08AACWPMicron TechnologyMT29F1G08ABADAH4-IMicronMT29F1G01AAADDH4MicronMT29F1G01ABAFDSF-IT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT SPI 16SOMT29F1G08ABADAH4-E:DMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGAMT29F1G08ABADA:DMicron TechnologyMT29F1G01ABAFDSF-AAT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT SPI 16SO
MT29F1G01AAADDH4:DMicron TechnologyIC FLASH 1G SPI 63VFBGAMT29F1G01AAADDH4-IT:DMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT SPI 63VFBGAMT29F1G08ABADAH4-IT:DMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABADAH4MT29F1G01ABBFDSF-IT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT SPI 16SOMT29F16G16ADBCAH4-IT:CMicron Technology Inc.IC FLASH 16GBIT PARALLEL 63VFBGAMT29F1G08ABADAH4-ITMicronMT29F1G08AACWPCMicron TechnologyMT29F1G01ABAFDWB-IT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT SPI 8UPDFNMT29F16G16ADACAH4:CMicron| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที