ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT29F4G01AAADDHC:D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT29F4G01AAADDHC:D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT29F4G01AAADDHC:D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 63-VFBGA (10.5x13) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 63-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4G x 1 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F4G01 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC:D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT29F4G01AAADDHC:D | MT29F32G08CFACBWP-12:C | MT29F384G08EBCBBJ4-37:B | MT29F4G01AAADDHC-IT:D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F4G01 | MT29F32G08 | MT29F384G08 | MT29F4G01 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4G x 1 | 4G x 8 | 48G x 8 | 4G x 1 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | 32Gbit | 384Gbit | 4Gbit |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tray | Bulk |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 63-VFBGA (10.5x13) | 48-TSOP I | 132-VBGA (12x18) | 63-VFBGA (10.5x13) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 63-VFBGA | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 132-VBGA | 63-VFBGA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | Parallel | Parallel | SPI |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT29F4G01AAADDHC:D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT29F4G01AAADDHC:D - Micron Technology Inc.
MT29F32G08CFACBWP-12:CMicron Technology Inc.IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F4G01ABAFDWB-ITFMicron TechnologyMT29F336G08CUCABH3-12ZQ:AMicron TechnologyMT29F384G08EBCBBJ4-37:BMicron Technology Inc.IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGAMT29F4G01AAADDHC-IT:DMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT SPI 63VFBGA
MT29F4G01ABBFDWB-IT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFNMT29F4G01ABBFD12-AAT:FMicron
MT29F4G01AAADDHC-ITX:DMicron TechnologyIC FLASH 4G SPI 63VFBGA
MT29F32G08FAAWP:ASamsung SemiconductorMT29F4G01ADAGDWB-IT:GMicronMT29F32G08QAAWP:AMicron Technology
MT29F32G08CBCCBH1-12Z:CMicron Technology Inc.IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGAMT29F32G08QAAMicron TechnologyMT29F4G01ABBFDWB-ITMicron TechnologyMT29F4G01ABAFDWB-IT:FMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT SPI 8UPDFNMT29F4G08AAAWP:AMicron TechnologyMT29F4G01ABAFD12-AAT:FMicronMT29F4G08AAAMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที